【電気】理論・回路の質問【電子】 Part16©2ch.net
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あれだな、目一杯エネルギー使って一生懸命やったのに一瞬にして消えてしまう
ポシャルエネルギー >>57
いやID:qpOKLgMtによるとエネルギーとポテンシャルエネルギーは違うらしい >>59
またまた
優秀なフリしちゃって〜 ぷにぷに
ほんとは仕事で何度もぽしゃってるくせに〜 コイツゥ( ´∀`)σ)д゚) アナログ電子回路と比べてディジタル電子回路はずっと難しいですか? >>63
着目するところが違ってくるからアナログよりデジタルが簡単だし、アナログよりデジタルが難しい トランジスタスイッチついてですが
電圧かけたらoff電圧がかかってないときにoffにしたいと思います
回路はベースとコレクタに抵抗
エミッタはGND設置です
出力反転ですがscトランジスタでベースに電流を流したとき
コレクタと抵抗間の電圧測定でonoff判定で良いのでしょうか すみません反転回路でググったらそのまま回路図がありました
失礼しました ブラシレスモータについて、120度通電するときホールICをセンサに使うのが一般的だと思うのですが、ホールICの配置の決め方がわかりません
理想的には線間逆起電圧のゼロクロスにホールIC出力のエッジを合わせれば良いのでしょうか? >>63
デジタル回路なら工業高校生でも組めるけど
アナログ回路を設計するなら
大学で物理や数学を修めてないと厳しいよ。 基本的なアンプをとりあえす簡単に設計するなら算数レベルで大丈夫なんじゃなかろうか。
デジタルでもアナログでも学校で勉強すれば設計できるって感じでもないよね。現場を見てたら。 >>72
デジタルは「組む」でアナログは「設計」というあたりが昭和のジジイらしくて草。
ゲートを何個か並べるのをデジタル回路だと思ってるんだろうなあ。 昭和のジジイがゲートを何個か並べる?
ゲートボールか? >>72
例えば誤り訂正回路なんか、高速で少ないゲート数で実装するのは情報数学の素養が必要。
アナログとデジタルもせっけいないようによってはどっちも高度な技術を要求される。 そのうちAIに要求仕様だけ放り込めば勝手に
設計してくれるようになってしまうのだろうけどもね。 中国で話題になったみたいにAIが「正直に」語ってしまったりして。
「仕様がクソだ。おかしいだろカス」
設計を進めてから、仕様の矛盾に気づいて悲しい思いをすることってありますよね… Global and Local Coordinate Systems ( rot rot ) >>83
元スレ内に回答がありますね。
なのでこの話題は終了という事で。 >>83
ひっこし乙です。
http://rio2016.2ch.net/test/read.cgi/denki/1501157324/59
において、PN接合の耐圧の違いについては書いていますが、
>>83において、その引用レス群の中の、どの問題の理由を尋ねていますか? 質問です。定格が12vのモーターに5vをかけて動かすのと定格が3vのモーターに5vの電圧をかけるのではどちらが早く回りますか?また、双方の定格の違いによる良い点悪い点も教えていただけたらうれしいです。 原則として電圧と回転数は比例するがその比例係数はモーター毎に違う。
2つのモーターの定格での回転数を調べ電圧に比例すると感構えて計算する。
ただ、3v定格のモーターで5V掛けると定格電圧の1.7倍だから過熱したり壊れたりするかもしれない。 >>87
部品だけでわかんないです
>>88
ありがとうございます 電池の並列接続で総内部抵抗が電池の数で内部抵抗が割られるのは
電流が1/nになるからですか? 電流で抵抗が変化してたらオームの法則は成り立たんぞ。 >>90
内部抵抗が並列になるから(テブナンの定理) ◎鳳秀太郎の定理(Thevenin's theorem) 電源プラマイ逆指しで死ぬor動作しないだけ、
の機器があるがどんな原理?
死ぬor動作しないだけ、の法則とかある? デブナンの定理で真ん中のブリッジの部分の部分の電流を調べる問題を
解く過程で日という漢字を横にした形の部分を-□-□-の形に変換できる理由が
分りません日を横にした形は日の真ん中の部分を電気が通らない場合も
あるけれど-□-□-の形の時は真ん中の部分を電気が通るからです。 >>96
回路の電源を逆差するとたいていの場合は深刻な問題になります。
逆差しても壊れないのはなんらかの保護対策が施されています。
図は代表例です
(1)は単純なダイオード方式。ダイオードのVFのぶん電圧が損。
(2)はPchFETを使う方法。電圧のロスが小さい。
(3)逆差しても動作する。
>>103
>(2)は、回路図違ってるぞ
じゃあ正解を書いてください。 >>105に補足。
逆接防止の基本として>>102の(2)は間違っていません。
もっとも、
・すげえ高い電源電圧なら、ゲート-ソース間電圧に対する考慮は必要。
・ボディダイオードは存在することが前提。
ですよ。
厳密に言いだせば(1)も「どんな場合も保護できるわけじゃない」ってなりますね。 ボディーダイオードをショートする形でonさせるから普通と逆向きに電流流すね。
それを知らないで文句垂れてもなー >>103
(2)は合ってるよ。
MOS FETのソース側を電源にしてしまうと逆接続された時にボディダイオードがONして負荷に逆電圧がかかる。
ただし、負荷電流がMOSFETのOFF電流よりも小さかったりすると、負荷に逆電圧が掛かるから注意。
そういえば昔見た回路で、電源間に逆方向にダイオード入れといて、逆接続されるとそのダイオードが順方向でONして大電流を流して、入力に入れてあるヒューズを切る仕組みがあったな。
ちょっと乱暴だから今時の機器には受け入れられない仕組みだろうけどねw >>103さんはどんな観点から間違いだと考えたんだろう。
この方は、長いことトラ技を年間購読されていて、最近の記事はつまらんとお感じのベテランさんの様子。
ぜひとも意見を聞いてみたい。 >>109
>負荷電流がMOSFETのOFF電流よりも小さかったりすると
それは>>102の(1)で保護できないケースと同じですね。
必要なら「負荷に逆接ダイオード」と合わせ技で保護することになりますね。 >>109
ヒューズの代わりにポリスイッチ入れれば今時っぽいかなぁ ポリスイッチは効くんだか効かないんだかわからない範囲が広すぎるからなあ >>109
電源で出力過電圧保護に、過電圧検出時にSCRオンで出力強制ショートと言う奴を見たことある。
オクで落としたHPの実験用PSで、オンボードのチップヒューズが飛んでた。
回路図に、"Crowbar Control"って書いてあり意味が分からなくって調べた。
非常脱出と言うような意味で使ってるようだった。 >>105
>・ボディダイオードは存在することが前提。
だからそれを書けよ。あの回路だけで動かないだろう。
ダイオードが重要な役目をしているんだから。
前提というのは、先に出してこそ前提。
後から出すのは、卑怯者。 上の回路図のディスクリートFETでボディダイオード入ってないと考えたとしたら、実務したとことないシロウトだろ 非Si系パワトラでは、ユーザ便宜のため
ボディーダイオード相当のものをわざわざ作りこむらしいのですが、
SiパワーMOSでボディーダイオードを持たないのがあるんですか
どのメーカーか教えてもらえますか? >>117
そもそも>>102の回路はボディダイオードがあるから、それが逆接続時にオンしないようにソースドレインを逆にしているだけで、もしボディダイオードが無くても動作としては問題ないですよね?
MOS FETの場合構造上必ずボディダイオードは寄生的に存在してて、大抵は内部でソース側に接続されてるから、小信号用でもダイオードは見えるはずですよ。
大電力用途だとその寄生ダイオードだけだと電流容量が足りないからわざわ別途PN接合を作り込んだりしてますが。 >>117
無知をさらけ出して、恥の上塗りしなくていいのに。
>>104が書いたMOS記号の中の矢印はMOSのサブスレート電極へのダイオード特性を表すものだぞ。
バイポーラやJFETがDiode特性持つのと同様にMOSは自然にダイオード特性を持つ >>122
寄生してしまうことはわかっているが、
>>102は、省略せずにちゃんと書けということだろう。 >>124
>>102では※を負荷側に接続しています。
といってもこれを見落とされているようなので>>106で「ボディダイオードは前提」と書きました。
>>123で紹介したような例外を除いて、一般的なMOS FETでは※のバックゲートとソースがつながれています。
その結果、Pchだと、ドレイン→ソースはダイオードの順方向接続と同じになります。
>>121
ボディダイオードが無いと、動作するか分からんよ。
電源0ボルトからゆっくり電圧上げる時考えてみる。
P-Chのソースが0Vで、ゲート電圧も0ボルトだからMOSはOFF。
電圧を上げていっても、この状況が変化しないからOFFのまま。
もちろん、MOSはエンハンスメントタイプを使うことが前提
(なんて言ったら後出し卑怯者って言われるのかな??)
これを救うのが、ボディダイオードで、相手の回路に電圧を与え、
P-chのソースが正電位、つまりVgsが負になってMOSがonする
実際にはMOSのリークだのあるから動くこともあるかもしれないけど、
断言できない。 ボディダイオードって、どっかの会社が寄生ダイオードを言い換えた? >>126
MOS FETってソースとドレインが対称につくってあるやつだと、ドレイン側がゲートよりも高電位になるとONするんですよ(PMOSの場合ね)。
ただし、高耐圧なものだと、ソースドレインが非対称な構造になってるのでこの限りではないですが。
私はIC設計者なのでディスクリート部品には疎いのですが、ディスクリートMOSFETでもVgsとvgdの最大電圧が同一だったら対称構造の可能性が高いと思います。 そうか、この使い方は通常と逆電圧だからVdsでOnするのか。
勉強になったよ。Thanx で、間違ってるぞと主張してる人のコメントを聞きたいな。 >>128
たしかにそうでした。
そうでないとアナログスイッチが成立しませんね。 >>132
だから、ダイオードが書いてないと言ってるでしょ さすがにもう質問者を卑怯者呼ばわりしたおっさんは出てこれないかw >>133
>だから、ダイオードが書いてないと言ってるでしょ
これが>>102の(2)に対するものだとしたら、ですが、ダイオードは書かれています。
>>122でも言及されていますが、
>>125 で
> >>102では※を負荷側に接続しています。
って書いてます。※(バックゲート)をソースに接続していることでダイオードになるのです。
アナログスイッチの場合は、バックゲートをソースには繋がず、アナログスイッチICの電源に接続しています。
https://www.maximintegrated.com/jp/app-notes/index.mvp/id/5299
ここの等価回路のようにバックゲートをソースに繋いでいない場合は、ボディダイオードになりませんので
Pchの場合、ドレイン→ソースに無条件で電流が流れないことになります。
>>109さんが>>121で、
>もしボディダイオードが無くても動作としては問題ないですよね?
と書かれているのはそういうことです。
実際には、ドレインとソースは非対称に作られているはずですし、ほとんどの場合はバックゲートとソースが
接続されていることでダイオードになっています。
ただ、このテーマのように逆接対策回路であるなら、仮にバックゲートが内部でソースに繋がれていないFETを使う場合でも
結局のところはバックゲートは外部でソースに接続することになるんじゃないかとは思います。 >>133
MOSでは、ソース、ドレインとサブストレートの間にPN接合がありダイオード特性を持つ。
MOS-Trはサブストレートは通常ソース端子に接続され回路図記号にも表されている。
つまり、ドレイン端子とソース端子の間にダイオード特性がある。
この事は、MOSを使う人間の持つべき基礎知識 >>133
「ダイオードが書いてない」と文句を言う事は、
トランジスタのE-B, C-B間にダイオードが書かれてないのでダイオード特性は無い、
と叫ぶのに等しい。
こういう人を普通は無知な人と呼ぶ。 秋月で売っているFET↓のデータシートを見たら、ダイオードが書かれていない物は無いみたいです。
http://akizukidenshi.com/catalog/c/cfet/ >>139
データシートの回路記号はそうなっているものが多いですね。
ゲート-ソース間に保護用ダイオードが書かれているものもありますよ。 間違いを正した事を、恨まれたと勘違いして対応する事を逆恨みって言うんだよ。 どんなシンボルが書かれているか、って情報交換しているだけなんですよね?
恨みとか考えなくていいんじゃないでしょうか。>>142
へえ、とか、なるほどねー、って感じの受け止め方で良いと思います。
現実の回路図のMOS FETのシンボルは調べてみるといろいろな種類があります。
必ずしもそれらは、ダイオードのシンボル(三角に一文字)を抱かせてはいるわけではありません。
でもその場合でも、回路図の読み手としては、例外や特別な注釈がない場合は、
そこにダイオードが存在することを意識しないといけないのは確かですし。 >ID:aRwKutgc
・・・あんたの言ってる内容は、電気に関しちゃ正しいのかもしれんけど、
>>137の最後の一行とか書いちゃってるのは、 ぶっちゃけあんたも 無知で 間違い を
犯してると思うよ?(あ、俺も 事実の指摘してるだけだから怒らないでね☆彡)
>>142
もしこの手の手合いに、他人“だけ”を馬鹿にしてると解釈しているならばそれは早計で、
社会性の成長とか自己境界の確立とか他者像は自己の投影とかを踏まえるに、
科学に魂を売るような輩は人間の卑俗さやら己の馬鹿さ加減を痛感してるので
自分を含む全人類がバカだということを知っていて、日夜自分の馬鹿さ加減を
痛感していてなお学び、自分を無知と罵り、追い込んでいるのだろう、と想像してみると
涙ぐましいものを感じるし、そういう変態に支えられて理論は究明されていくのだろうことを
ふまえると、無知を恨む姿勢に敬愛を感じてもいいくらいだとは思う。
でも欲を言えば、その厳しさは己だけに向けて他人は赦せるようになれれば なお素晴らしいことだけれども。 >>102が、
「ほんとだ、書き忘れちゃった」と、一言言えば こんなにならずに済んだような気がします。 なぜ、自分が間違っていると素直にいえないんだろう?
無くたって動くのに、なぜ相手が間違ってることにしないと気が済まないの?
本当に分からない。 そういう手合いを見ると、意地悪く、「無知」って言いたくもなるんだよ。
>秋月で売っているFET↓のデータシートを見たら、ダイオードが書かれていない物は無いみたいです。
これは間違ってるって、一度も認めてないでしょ?
ただ単に喧嘩腰になるだけ。
人が自分と反対意見を言ったらみんな悪と決めつけるのは、トランプと同じ、
事実だったらおとなしくしなよ。
トランプみたいなのは大嫌いだ。 ID:vufhDGvSさん
もしかして、本当に、マジで、ナチュラルに図のようなシンボルだったら↑の方向のPN接合ダイオードが存在しないと考えるんですか?
それと>>102の(2)が、逆接防止回路として間違ってる、って言ってた人がいましたが、その根拠が「ボディダイオードが無いから」だったようです。
ID:vufhDGvSさんもその同調者ですね。(シンボル上でもバックゲートがソースに繋がれている時点でダイオードができてしまうのですが)
■■■■ >>121さんが指摘された通りダイオードがなくても大丈夫なのです ■■■■
ですので、ダイオードの有無に関わらず 「>102の(2)が、逆接防止回路として間違ってる」は間違っていることになります。
横からまとめると
・仮にボディダイオードがなくてもOFF状態であればS→D方向に電流は流れないので逆接保護になる
・仮にボディダイオードがあってもD→S方向なら電流が流れても問題ない(発熱はVf分増加するけど)
ということでFAですか? >>151
ちゃうちゃう。
正常接続時には、MOSがONしてダイオードをパスする経路が出来るのでVfは関係なくなる。
ダイオードはあってもなくてもMOSのOn抵抗でつながる。 >仮にボディダイオードがあってもD→S方向なら電流が流れても問題ない(発熱はVf分増加するけど)
この場合、ドレイン電圧よりゲート電圧が下がることで、FETがONになります。ですので、順方向に接続したらダイオードのVfによる損失はありません。
(電源電圧がゲートONのスレッシュより低かったらNGなんですが) ■ このスレッドは過去ログ倉庫に格納されています