>>55
俺も長年「そういうものだ」とぐらいにしか思ってませんでした。

調べてみましたよ。半導体を作るときのドープ濃度と空乏層の関係だそうで
空乏層を大きくとると耐圧が高くなるそうです。
http://fhirose.yz.yamagata-u.ac.jp/img/pn5.pdf

トランジスタは、トランジスタとしての動作をさせるために、
Bが薄く作られていて、BEの接合は空乏層が小さくなっている(結果としてBEの逆耐圧が低い)ようです。
トランジスタのCEを逆に繋いでもトランジスタとして動作する、ということは知られていますが、
電流増幅率が落ちてしまいます。これはCB間の耐圧を高くとるために空乏層が広くなっているせいじゃないかと理解しました。

いろいろ調べていて、俺もすっきりしない点がありました。
http://okawa-denshi.jp/techdoc/3-2-9Dopetokusei.htm
この表だと、ダイオードにおいてドーピングを薄くして空乏層を大きくとったときのデメリットがよくわかりませんでした。
スイッチングダイオードだと、わりかし耐圧が低いもの(高ドープ?)と、高耐圧(低ドープ?)のものを比べると
たいていは、耐圧が低いものの方が接合容量が小さくて、逆回復時間が短いのですが、この表だと逆っぽいです。
単純に面積が違うのかな？

教えて！詳しい人。