電子工作入門者・初心者の集うスレ 80
■ このスレッドは過去ログ倉庫に格納されています
電子工作って、楽しいよね
| ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄| レベル低すぎて他のスレに書きづらいことを書けるスレ
| 電子工作始めよう. | 簡単なことが分からなくて、苦労してる話しなど、なんでも
|_________| わからない事は気軽に教えあってね
. ∧∧ || たまには、中上級者・プロのフォローもよろしくね
( ゚д゚)|| 質問は「初心者質問スレ」があるよーん
/ づΦ
電子工作で聞きたいことがあったら、ここでも質問してみましょう
質問の要点は http://rio2016.5ch.net/test/read.cgi/denki/1513727831/1 初心者質問スレの1を参考に。
百聞は一見にしかず。画像添付があれば話は早いかも。必要なら以下のアップローダあたりを使って
・WAZAMONO コンピュータ画像掲示板 http://img.wazamono.jp/pc/
・imgur: the simple image sharer http://imgur.com/
・gazo.cc - 画像アップローダー http://www.gazo.cc/
画像があればより的確な回答が短期間で確実に得られますが
無闇に巨大な画像とかピンぼけ画像は歓迎されないですよ。
リポ とか レギュ とか、一部でしか通じない「変な省略語」を 得意げに使うのはカッコ悪いですよ。
普通の言葉で書きましょう。
■過去スレ: 電子工作入門者・初心者の集うスレ (直近5スレのみ)
79 https://rio2016.5ch.net/test/read.cgi/denki/1524695069/ 2018/04/26〜
78 https://rio2016.5ch.net/test/read.cgi/denki/1517165286/ 2018/01/29〜
77 http://rio2016.5ch.net/test/read.cgi/denki/1513202836/ 2017/12/14〜
76 http://rio2016.5ch.net/test/read.cgi/denki/1508508412/ 2017/10/20〜
75 http://rio2016.5ch.net/test/read.cgi/denki/1504096702/ 2017/08/30〜 >>578
単なる圧電素子でない圧電ブザーって何が違うの? >>580
ケースに入っているとか、発振器を内蔵しているものもあるとか。 >>578
単なる圧電素子でもパルス駆動すりゃ鳴る
マイコンの出力ピンにプルダウンでちゃんと鳴る http://akizukidenshi.com/catalog/c/csounddev/
ややこしいのう
圧電と付くのは単なる圧電素子っぽいな
発振回路付は電子ブザーと言ってるようだ
あくまでも秋月ではね >>583
わかってないでしょ?
圧電素子はプッシュプル駆動しなきゃならんてこと >>586
>プッシュプル駆動しなきゃならん
ふうーん。
現に片側GNDにつないで鳴るけど?
何かまずいの? >>586
圧電スピーカーが一種のコンデンサだから?
そうだと溜まった電荷を抜けばいいでしょ?
↓ここにもあるけどトランジスタ駆動だとOFFの時に高インピーダンスになって溜まった電荷を抜く抵抗を並列に入れるか、マイコンポート直接駆動だとOFF (=0V)の時も低インピーダンスだから大丈夫だと思うよ。
https://www.murata.com/ja-jp/support/faqs/products/sound/sounder/char/sch0001 溜まった電荷を抜くというのがプッシュプルですよ
マイコンwポートがトーテムポール出力だからできるのです
やはり理解できていませんね? >>587
ブッシュプルとは、マイコンの出力回路の内部の方式のことで、
圧電ブザーの接続方法のことでは無いです。
圧電ブザーに対して押し込んだ電気を、
引き出してゼロにする能力を持っているんです。
だから、圧電ブザーに電荷放電とかはしなくてもいいんです。 >>586
マイコンのポートが、Hで押し込んだ電気を、
ポートLの時に抜くことが出来れば
トーテムポールでなくてもいいんですが、
デューティー50%で駆動した時、Hと同じインピーダンスでLにしないと、
電気が溜まってしまいます。 >>586
マイコンのポートが、Hで押し込んだ電気を、
ポートLの時に抜くことが出来れば
トーテムポールでなくてもいいんですが、
デューティー50%で駆動した時、Hと同じインピーダンスでLにしないと、
電気が溜まってしまいます。 >>590
お前の思い込みや偏見はどうでもいいんだわ。
で、>>583は具体的に何をどうすりゃいいのかな?
せっかくだから>>588の資料以上の見識を示してくれよ。 圧電素子の静電容量とCMOSバッファの出力インピーダンスで出来る時定数よりも、駆動期間が十分長ければ問題ないよ。
多めに見積もって圧電スピーカーの静電容量を10nF、CMOSバッファの出力インピーダンスを1kΩとしても時定数は10μ秒
例えば2kHzの音を出そうとした場合、デューティ比50%ならHigh 区間とLow区間はそれぞれ250μ秒
充放電時間は十二分でしょう。 CMOSバッファって書いたのはマイコンのポートで駆動した場合の話しなので念のため。 >>595
ついでに>>586と>>590が何を言ってんのか翻訳してくれないか? >>590
最初から「マイコンの」って書いてるじゃん
んでプッシュプル駆動しなきゃって言えば2ピン使えってことかよって思う
何が理解できてませんねだよ
最初からお前がケンカ売ってんだろ >>597
エスパーすると、
圧電素子は充電したら電荷をぬかないとダメだよってことが言いたいんだろう。
プッシュプルとかトーテムポールの話は本質的な話ではないので無視しても大丈夫。 「プッシュプル駆動」と「BTL駆動」と混同してる連中が
勝手に大騒ぎしてるように見えるw 「電子工作入門者・初心者の集うスレ」らしい展開だな。 携帯、タブレのリチウム。
USB充電時のアンペアの推奨値は?方程式ある?
定格3.7V、4800mahを5V、0.2Aで充電したら
半日で0.2A計測のまま8割付近、さらに数時間経過しても
ほぼかわらんかった。 >>533
厳密にはバラン入れて、同軸にしてから、受信機に入れる必要有る 秋月のネット見たら
2SC1815が大量に売られていた
1000個で2500円。20個で100円
どこにそんなに在庫が?と思ったら台湾のUTC製だった
東芝のもまだ売ってる。20個200円
ということは2N3904に切り替える必要はないのか
2SC2120はもうだめなのか。BC337に切り替えるしかない?
秋月の推しは8085SLみたい(ピン並びがECBだから) 8085なんて見つからないよヽ(`Д´)ノプンプン 秋月の(UTC)8050ってECB配列なんだ
FAIRCHILD(ON Semi)のはEBCだね
あとAbsolute Maximum Ratingsもメーカーによって違うね
AliのはS8050刻印だったりSS8050刻印だったりでメーカーというか中身も怪しいよな100本100円台だけど 8050SLでした
700mAだから、2SC2120の代わりかな 単発IDで何かをほざいてるのが1人いるが、圧電素子に関してはこれがすべてだろう。
https://www.murata.com/ja-jp/support/faqs/products/sound/sounder/char/sch0001
つまり最初から「圧電サウンダ 駆動回路」とかで検索すりゃいい、
このスレでアホの単発レス読むだけ時間の無駄ってこと。 >>608 >>588です。
全く同感。
あれこれ屁理屈ばかりで、しつこさにも程がある。 PNPとかのトランジスタは電流の向きが矢印の向きになっているけれど、
FETの場合電流と逆向きで電子の向きになっているのはどうしてなんでしょうか。
ソースとかドレインとかの用語も電子の流れに合わせて決まっているように見えます。 PNPとかのトランジスタの回路図記号は電流の向きが矢印の向きになっているけれど
FETの場合電流と逆向きで電子の向きになっているのはどうしてなのでしょうか。
ソースとかドレインとかの用語も電子の流れに沿って決められているように見えます。 >>616
MOS-FETの多くは寄生ダイオードとかボディダイオードと言われているダイオードがD-S間に入っていてます
Nチャンネルの場合
https://relcsc.zendesk.com/hc/article_attachments/203209527/n-mos1.gif
SからDだとゲートに電圧かけなくてもダイオードをバイパスして電流が流れてしまうので
スイッチングには使えません というか、FETの回路図記号の矢印の向きが電流と逆なのはどうしてなのかという疑問です。
ソースからドレインに電流を流すべきだということではなく、ソース(源)が
電子の取り込み口という意味でそういう名前になっているけど、電流の流れに沿って言えば
ドレイン(吐き出し口)がソースと呼ばれるべきではないのか
という名称の問題です。 というか、FETの回路図記号の矢印の向きが電流と逆なのはどうしてなのかという疑問です。
ソースからドレインに電流を流すべきだということではなく、ソース(源)が
電子の取り込み口という意味でそういう名前になっているけど、電流の流れに沿って言えば
ドレイン(吐き出し口)がソースと呼ばれるべきではないのか
という名称の問題です。 ハイサイド・ローサイドなのかね・・・
接続的にはオープンドレインorソースフォロアとか? >>619
決めた経緯を知らないから嘘をつくと
シンボル中の矢印は、不可避的に出来てしまうダイオードだと自分は思っている
そのダイオードに電流を流さない(ONにしない)で動作させるのがJ-FETやMOS-FET
一方ベース・エミッタ間の矢印に電流を流してONにして使うのがBJT
コレクタ・ベースに矢印が書いてないのは、たぶんいろいろ面倒だから
なんでFETとBJTで違うのかというと、そうでないと構造的に動作しない
というか動作原理がまったく違う >>619
名称については
BJTだと
電子(正孔)を集めるコレクタ(そのまんま)
歴史的経緯からベース(針を立てる台)
電子(正孔)を放出するエミッタ(そのまんま)
FETだと
電子(正孔)が外に流れ出すドレイン(そのまんま)
電子(正孔)の通り道を本当に物理的に開け閉めするゲート(門)
電子(正孔)をドレインに向かって供給するソース(源)
真空管だと
電子を集めるプレート(ぜんぶの電極をとりかこむ板)(アノードとも言う)
電界を操作する網状の電極のグリッド(そのまんま)
電子を放出するカソード(そのまんま)(カソードとアノードはファラデーが命名)
別にどこもおかしくないけど、なんか変かい? >>622
そういう説明を聞いたことはあるんだけど、本来の機能と直接関係ない
寄生ダイオードの向きで記号の矢印の向きを決めるのは不自然ではないのだろうか。
だから、矢印は電流の向きと思っていたのだが、それだとどうしてFETは逆向きにしたのかなと思ったわけです。
>>623
NPNの場合には、エミッタから電子を取り込んで、コレクタに吐き出すから
電子の流れと名称の意味が一致しないけど、どうなのでしょうか。 >>622
そういう説明を聞いたことはあるんだけど、本来の機能と直接関係ない
寄生ダイオードの向きで記号の矢印の向きを決めるのは不自然ではないのだろうか。
だから、矢印は電流の向きと思っていたのだが、それだとどうしてFETは逆向きにしたのかなと思ったわけです。
>>623
NPNの場合には、エミッタから電子を取り込んで、コレクタに吐き出すから
電子の流れと名称の意味が一致しないけど、どうなのでしょうか。 毎回2重投稿になってしまい、すみません。BSで戻るとそうなってしまうようです。今後気を付ける。 MOSFETの矢印はボディダイオードの向き
トランジスタもPN接合として考えた時のダイオードの向き
だと思ってたから何も違和感無いな
(なんでCB間には書かないのかって言うかもしれんけどそっちにも書いたらEとCが図形で区別つかんやん)
なんで電流の方向っていう最初の考え方自体が違うのでは? >>625
>>寄生ダイオードの向きで記号の矢印の向きを決めるのは不自然ではないのだろうか。
不自然もなにも
寄生ダイオードをシンボルに取り込むのならその向きになるしかない
シンボルに取り込まないなら悩まなくて済むかもしれないが
とりあえず自分は困る >>626
>>NPNの場合には、エミッタから電子を取り込んで、コレクタに吐き出すから
ちょっと違う
エミッタ「が」トランジスタ内電界に電子をエミッションして
コレクタ「が」ベースを通り抜けた電子をコレクションする
(エミッタ「から」エミッションして、コレクタ「で」コレクションなのかも)
誰かがエミッタから取り込んだり、誰かがコレクタから吐き出したりすると考えると
誰かトランジスタの中に住んでいることになり悪魔がもう一匹 僕のトランジスタには、可愛い小さな女の子が住んでるよ。 >>628
n型MOSFETの場合には、G->Sの方向がPNの方向だから、
ダイオードの向きとすると、FETでの矢印の向きとは逆ではないのだろうか。
>>631
トランジスタの中から見るのではなく、トランジスタがつながっている回路側から見ての
言い方ということかい。ソースっていう言い方は、FETの中から見ての言い方
で電子を取り込むソースという意味だと思っていたけど、外から見れば
そこに電子を流し込むわけだから、ドレインという方が妥当ということにはならないのでしょうか。 >>634
後半について
バイポーラ素子(BJTなど)とユニポーラ素子(FETなど)の動作のイメージの仕方は
ひとそれぞれなんだろうけど
FETの命名者がエミッタじゃなくてソースと、わざわざ別の名にした気持ちはなんとなく分かる
が、説明は無理
ごめんね
あえて喩えると水が流れているゴムホースを踏み踏み >>634
なんか勘違いしてるっぽいがMOSFETの真ん中の矢印がついている棒はゲートじゃなくて基板電極だ
なのでNチャネルの矢印が生えてる棒はP型半導体だ
だからあってる
ここが分かりやすいか
http://www.ele.kochi-tech.ac.jp/tacibana/etc/analog-intro/mosfet.html >>638
デジトラつけてシフトレジスタつけてマイコンで制御のデジタルポテンショ。配線だけで死ねる。 >>636
教えてくれたサイトを見ると、n型に対して矢印が右向きで、PNの向きだからあっている気がする。
WikipadiaのFETの説明を見ると、端子の項目に3個の図があり、その一番下の図では
矢印が左向きになっている。矢印の先の縦棒がボディでその上と下の縦棒で全体で
縦方向の点線みたいになっているのが、上から順に、ドレイン、ボディ、ソースなんだろうけれど、
ボディ->ソースがPNの向きだから、矢印は右向きあるいは下向きでないといけないんじゃないの。 >>640
一番下の図4の(a)がWikipediaのだろ
矢印の位置の違いもわからんのか?
全部読んでないだろお前 >>640
NMOSトランジスタだからWikipediaの図であってる。 今wikipedia見に行ったらゲートの位置ずらしてある奴だったから図5の(a)だわ
横棒3つあるうち
真ん中の横棒は基板電極
一番下の横棒はソース >>638
基板実装型の小型のロータリースイッチ(軸が出てるやつじゃなくてツマミが直接ついてるやつ)でもつければ良いのにね。 https://ja.wikipedia.org/wiki/%E9%9B%BB%E7%95%8C%E5%8A%B9%E6%9E%9C%E3%83%88%E3%83%A9%E3%83%B3%E3%82%B8%E3%82%B9%E3%82%BF
に書いてある
>FETには主な3種類の端子「ゲート」「ソース」「ドレイン」がある。ジャンクションFETは通常、以上の3端子のみを持つ。
>MOSFETでは「ゲート」「ソース」「ドレイン」「バックゲート/バルク/サブストレート/ボディ(半導体チップ基板で呼称が一定していない)」の4端子で構成される。
>チャネルの種類によりp型チャネルの PMOSとn型チャネルのNMOSの2種類がある。
>一般的にはソースとバックゲートを内部で直結した3端子になっており、回路図記号はその構造を反映してバックゲートが省略されることもある。
ということで俺も書いてみた
https://i.imgur.com/hNL2kwC.png
どの線がどの部分に該当しているか色分けしたらわかりやすいと思った
Nチャネルの矢印もちゃんとPN接合の向きになっているよ そんなんだとゲートがソースとドレインの上にかかってないから動かないぞ w 模式図なんだからしゃーないだろ
wikipediaでもっと綺麗なのCGで書いてあるやつでも見とけや
今重要なのは記号のどこと実物のどこが対応してるかの図示なんだから
こういうアスペほんと嫌い てか>>636のサイトの画像だろ勝手に改変して良いのか?
模式図にも著作権があるのでは お?また論点ずらすのか?いいぞ!!根暗専門板らしくなってきたな!!! もうFETの回路図記号ネタはいいよ・・・って思ってるの俺だけじゃないはず じゃデプレッション型とイマジナリーショートの話しよっか 最近話題の「LGBT」って聞くとなぜか「IGBT」を連想するオレ。 Pな俺にとっては、LGBTよりもLGBTPZNにして欲しい。
というか、ロリータエンコーダに空目。 抵抗の回路図記号はギザギザよりも欧州仕様の箱がいい >>638
電解コンデンサ、フィルムコンデンサもあるのか、驚いた
3種とも買うと$53.27
アナログ回路のCRの定数を決めるときなどに便利なのかな? >>663
純愛なんです、信じて下さい。
決してやましい気持ちじゃないんです… >>645, 649
とても分かりやすい説明をありがとう。
・同じn型FETでも、記号内にボディを描くか描かないかで矢印の向きが変わってしまう
ということであっていますでしょうか。
もしそうだとすると、記号としては紛らわしい気もするし、誤解を招きかねない面もある
と思うのですが、記号を作り出した当時には皆にすんなり受け入れられたんですかね。 4007というバックゲート端子がありなおかつNPコンプリメンタリーなMOS ICがある
http://www.ti.com/lit/ds/symlink/cd4007ub.pdf
末尾にUBがついてるから、Un buffersなのか? デュアルゲート(サブストレート?)付きPチャネルFETの3SJって3SJ11Aしかないのな トランジスタの並列接続についてなのですが
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/design-support/faq/mosfet_bipoler-transistors/is-it-ok-to-connect-bipolar-transistors-in-parallel.html
同一品、ランク同等、放熱の均一性等と書かれていますが、5V、Ic500mA hFE100とした場合、
控えめに300mA、ベースに16kΩの抵抗を挟んだりしても問題になるのでしょうか?
ベースを抑えれば違う型番でも並列で使えたりしませんか? 電源が5VでhFE100とした場合ベースに16kΩの抵抗を挟んだら
同一品、ランク同等、放熱の均一であっても二つ合わせても最大50-60mAくらい
しか流せないように思うけど >>675
5Aですかいいですね。
どうもありがとうございます
同じオムロンの2A品が250円なのにくらべると、やっぱり値が張りますね。 >>676
負荷がDCなら結線の仕方で10Aだぜ
値段については書いてなかったし… ■ このスレッドは過去ログ倉庫に格納されています