【電気】理論・回路の質問【電子】 Part16©2ch.net
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>>626
それはだめです。
同じ定格を標榜しているものでも、ツェナー電圧にはばらつきがあります。
ツェナー電圧が低い方に電流が集中します。
特に5Vあたり以下のものだと、温度上昇にともなってツェナー電圧が下がりますので、
ツェナー電圧が低い方に電流が集中する→温度が上昇する→ツェナー電圧が下がる
の悪循環になります。 熱雑音「レベル」のエネルギーで一方向に回転する生体分子モーターは知られているから
それで交流発電機を回せれば整流することもできるかも
この方法ではないだろうけど
東京大学先端科学技術研究センターの人も
「身の回り至るところにある熱雑音からうまくエネルギーを整流化できれば」
と言っているからそのうち実現されそうな気配 >>627
24V電源から5V作るとすると
一段目12V
二段目5V
と分けた方が電力分散明確にできるかな >>630
ツェナーでないとダメなんでしょうか。
発熱が気になるなら、他の方法の方が良いような気がします。 >>632
1ビットの情報を消去するときにエネルギーが必要なため、
環境からエネルギーを取り出し続けることはできないんじゃなかったっけ？ 教えてください。
絶縁手袋があります。7000VがOKのものです。
http://www.yotsugi.co.jp/products/detail/44
この7000Vの意味は何なのかがわかりません。
この手袋を付けていれば、例えば、
地面---裸足----絶縁手袋----7000V電線---地面(接地) というようにしても、
人体に感電は起きないと考えればよいのでしょうか?
あるいは、放電はしないけど、mAオーダーの電流は流れるから、感電するよ
ということなのでしょうか? その7000ってのは状態の良い手袋を正しく使用した時に内側と外側の絶縁を保証出来る電圧という意味
製品としてはさらに高い耐電圧試験に合格してるはず
でもゴムがひび割れていたり内外面が濡れていたりしたら7000V以下でも絶縁破壊する
裸足でどうのこうのとかは使用者の自己責任で自由に試してもらえばいいとして
メーカーとしてはそういう変な使い方を想定や前提に製造はしていない >>635
>7000V以下でも絶縁破壊する
絶縁「破壊」はして無いでしょ。
現象としては絶縁「低下」。 7000V以下では絶縁破壊しないという見解なんですね
私は条件さえ揃えば7000V以下で絶縁破壊するという認識です >>637
>>635
>ゴムがひび割れていたり内外面が濡れていたりしたら
これは物理的に破損しているのであって絶縁「破壊」とは別の現象ですよ。 >>634
リンク先の製品情報に
使用に際しては、保護革手袋の併用が必要です。
って書いてあるぞ。 活線で柱上変圧器の交換してるの見たことある。
け今は工事のために停電させるのは理解が得られにくいんだろうけど
人権的に問題にならないのかね。 >>638
絶縁破壊の定義をちゃんと調べたほうがいいよ 質問なのですがMOSFETのオーバーラップ容量は酸化膜と半導体の重なっている部分の容量値という認識で合っていますか？ >>642
何も提供できずにチャチャ入れしか出来ないなら黙ってればいいのに。 >>644
「俺は知ってる、俺はスゴイぞ」 って言いたいんじゃないかな。 言葉遊びはいいから
単にゴム材料における絶縁耐圧の話だろうて
劣化したりってのは別の話
現場的実用には気を付けましょう 結局、7000Vの絶縁ができる手袋をしていれば、
電源(+)-----手袋(7kV)-----俺----裸足----電源(-) でも、
感電しないという理解で良いのでしょうか? 家で不労所得的に稼げる方法など
参考までに、
⇒ 『武藤のムロイエウレ』 というHPで見ることができるらしいです。
グーグル検索⇒『武藤のムロイエウレ』"
95548VQWE0 トランジスタ回路に関する質問です。
エミッタ接地回路（エミッタのバイパスコンデンサあり）の電圧増幅率 Av の式として
Av = - (hfe / hie) * Rc
hfe, hie: トランジスタのhパラメータ、
Rc: コレクタ抵抗
という式がいろんな教科書に出てきますが、トランジスタのデータシートには
hie が載っていないことが多く、hfe はバラツキが大きすぎます。
（例題ではどちらも与えられてたりしますが…）
結局のところ、エミッタ接地回路はトランジスタのhパラメータをいちいち計測しないと
増幅率さえわからない、ということでいいのでしょうか。 Gain = Rc/Reではないの? (hFE以下で)
エミッター抵抗がない回路では、hFE依存だから、あなたの言う通り。 >>650
せめてさぁ、wikipediaぐらいは読んでから分からないところを質問してよ。
https://ja.m.wikipedia.org/wiki/エミッタ接地回路 >>650
hパラメータを計測しなくても増幅率を測定すれば増幅率がわかります >>650
大雑把な話ですけど、図のようになります。
トランジスタの中のreがあって、外付けのRE(とそのバイパスコンデンサ)が0Ωなら、reが支配的になります。
バイパスコンデンサがないなら、ゲインの計算はRC/(RE+re)。
ついでに。
振幅が大きくて Ic の変化も大きいのなら、reも動的に変わります。なので、歪も発生します。
>>650
そのとおりで、測定しないと分からないし、温度などでも刻々変わる
このばらつきや変化を押さえ込む、気にしない、概算できるのが設計にとって大切なこと
ちょっと慣れれば、hfe/hieを一回も計算せずに実用品が作れるのがトランジスタの良いところ 測ってもｈFE程度。hfeは測りもしない。ある程度の範囲内なら問題ない用途にしかバラのトランジスタは使わなくなってしまった。 すみません、以前もお聞きしたのですが、再度質問させてください。
クアドラチャ発振回路の発振周波数が、なぜゲイン１の時（Fo=1/2πRC)に定まるのか、
なぜ周波数がFo以下のとき（ゲインが１以上の時）の周波数にならないのか
理論的に説明できる方はいますでしょうか。
http://toukatugiken.dip.jp/quadrature/
詳細はこちらに書きました。だれか教えてください。 >>657
「説明できる方」は沢山いるよ。
「教えてくださる方」がいるかどうか。
君は人に何かを教えて貰おうとするときに「説明できますか」と聞くのかい？ >>658
あざっす
返信くれただけで感激です。よろしくお願いします！^^ 説明できますかっていういい方は、挑戦的でぶしつけなんだよ。 腕白でもいい。逞しく育ってほしい
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勝手に 積分回路と一次遅れ回路のループでトータルの符号は−１だから
1+s^2+ tau s^3==0 から自然周波数が求まる。
tau=1
としてs=0.233-0.8i,-1,47+3.4x10-16i,0.233+0.8i
このうち 0.233+/- 0.8 i が生き残り発散するがリミッタ回路で制限され
発振する。
積分回路があるからSIN,COS生えられる。
昔からみんな使っている回路であり、名前があると走らなかった。 >>647
それは直流の場合のみ？
交流だとダメ？ >>664
元レスを辿れば交流7000VでOKとされている製品ですよ。 汗が流れてた。 他にショートした
まあ 勇気があればやってご覧
さきにスイッチを切ったほうがいいと思うけど まぁ、それが自らの命をかけるに値する場合はやるが、まず無いだろうな。 手袋がそれを満たしている、ということと、非熟練作業者でも安全、ということは別ですしね。 返信遅れてすみません。みなさんありがとうございます。
追加、というか補足の質問なのですが、hieはどのようにして測定するのが良いのでしょうか。
hfeは hfe≒hFE とすれば、簡単にデジタルテスターで測ることが出来るのですが、hieの測定方法に困っています。
>>651
エミッタ抵抗なしを想定してます。
そうするとやはり増幅率はhFE依存なんですね。
>>652
Wikipediaはチラッとは見たのですが、「バイポーラトランジスタでgm？FETの話かこれ？」と思って読むのをやめてました。
検索してみると、普通のトランジスタでもgmって考え方があるんですね。
「バイポーラ：電流制御型、FET：電圧制御型」が頭にあったのでスルーしてました。
>>653
なるほど…。これは一本取られました。
完成した回路が既にあればその方法もアリですよね。
>>654
reってのは初耳でした。26mVは何かと検索したら熱電圧VTってやつですか？
そうすると回路の増幅率はトランジスタのhfeとは関係ないということになりそうですが…。
Wikipediaの記事と合わせて考えるとre=1/gmということでしょうか？ますます混乱してます。
>>655
自分はまだ全然慣れないです。
やはり実測しないとわからないんですね。
>>656
とりあえずhFE≒hfeとして考えてます。
前提が抜けててすみません。 >>657
まず>>605の話で、線形回路ではexp(αt)*sin(ωt)の形の解になり、
周波数が変わっていくような解はないと思う。
http://cc.cqpub.co.jp/system/contents/1566/
の記事で、理想オペアンプとしたときの伝達関数はG=1/(ω^2*C^2*R^2)。
これをループにつないで発振の種として単位インパルスδ(t)を
加えると、δ(t)のラプラス変換は1だから
V(s)=1/(1/G-1)
代入して整理すると
V(s)=-1/(C^2*R^2) / (s^2+1/(C^2*R^2))
逆ラプラス変換すると
V(t)=-1/(C*R) * sin(t/(C*R))
となりf=1/(2πCR)で発振することは分かる。
ゲインが1だから発振は当然成長しない。
しかし、R2=10kΩのままでシミュレータにかけても
発振が成長するようなので理想オペアンプでないのが
有利に働いてるのかとも思ってる。
1.59kHzではオペアンプのゲインは50dB程度しかないから。 >>670 hieを簡単に測定する方法はないけど、
hie≒hfe*hibとして、hib≒VT/IEで代用する手を使った記憶がある。
hibはバイアスをかけたダイオードの等価交流抵抗で、
トランジスタ種別にあまり影響されず、26mV/エミッタ電流(mA) Ωになる。
26mVはVT(熱電圧)で、詳しくは半導体物理でも検索してくれ。
で、hibにhfeを掛ければ、だいたいの hie が出る。
エミッタ内部のオーム性抵抗があるからその分の誤差は出るが、
教科書にも載ってる由緒正しい簡略法。
hieに大きく影響を受ける回路はあまり精度を気にしてもしょうがないので、
実質的にはこれでも十分だった。
実際にhib測ったのは、2SC1815 3石でつくってみた差動増幅回路だけだったな。
hibがモロに効く回路だったんで。ゲインを測ると等価的なhibが分かる。 >>604
ゲインが1以上の周波数だと増幅して言って定常波＝一定周波数じゃなくなるから
結局ゲイン>1の間は周波数が上がり続けてゲイン1に落ち着く ここで質問して良い内容なのかわかりませんが、質問します。
半導体は、ある電圧をさかいに電気が流れるものと理解しているのですが、合っていますか？ >>677
「半導体」ってーのもジャンキーなワードなんで、簡単には答えられない
最近では「nVidiaの半導体」というソフトウェアがDCで使用禁止になって話題
具体的な「半導体」の例をあげてくれたまえ >>679
半導体の例とは種類等でしょうか？
知識がないので、ちょっと返答が難しいです。
電流On/Offの境界が電圧によるものなのか、上に書かれていた温度なのか、それ以外の何かなのかを知りたかったのですが・・・ >>680
ダイオードかトランジスタのこと？
それらは半導体を使って作る素子なんだけど >>680
半導体でも接合の無い一様な物質であれば特定の比抵抗値を持ちますよ。
絶縁体 ＞ 半導体 ＞ 導体
電圧による電流が非線形になるのは接合があるからです。 半導体がオンオフする要素は電圧、電流、温度、圧力、光、その他になんかあるかな？ >>677 半導体は、ある電圧をさかいに電気が流れるものと理解しているのですが、合っていますか？
電圧をかけたダイオードに流れる電流の一次近似としては正しい。でも A exp(k Voltage) のほうが より正確なモデルに鳴る。 エバース・モル・モデルで検索してみよ。 >>681
>>682
ありがとうございます。
wiki見てきました。
知りたいのはトランジスタのスイッチング作用のことでした。
要因は電圧、電流等複数あるようですが、閾値を超えると抵抗値が変化するものということですね。
Off状態でも、実際は微量な電気が流れているのでしょうか？ >>688
ありがとうございます。
ググりましたが、ちょっと難しいですね・・・
数学はイマイチなので、めまいが。 >>689
まあ、どんな場合でも完全に0にはならない。
機械的SWだって程度の違いはあるけど0にはならない。
流れる流れないみたいな話は、定量的に言わないと
意思疎通できないよ。 >>689
多分深く知る目的でないと思うのでその前提で言うとその理解でいい
＞Off状態でも、実際は微量な電気が流れているのでしょうか？
その通り少しだけ流れます >>691
>流れる流れないみたいな話は、定量的に言わないと
>意思疎通できないよ。
これって、いろいろな場面でありますね。
話が、二値判定みたいな話に傾きがちです。
話者によって閾値が変わったりするのに、そこは押さえられていなくてまちまちなまま話が進んだり。 >>691
すみません。
気軽に質問してしまいました。
次は気を付けます。 >>692
ありがとうございます。
なんとなく分かりました。
おっしゃる通り、深く知りたかったわけではなく、素人レベルの「半導体ってなに？」という疑問からググり、
電圧で電流をOn/Offできるらしいことが分かったため、理解が正しいかを確認するための質問でした。
質問の背景を書いておいたほうが良かったかも知れません・・・ >>695
オンとオフと言うと、100%と0%のように感じますが、
電気の世界では、
ほぼ100%、ほぼ0% と言う理解です。 >>696
ありがとうございます。
そうですね、流れる/流れないと考えましたが、間違えていることが分かりました。
一歩前進です。 ちょっと質問です。
たとえば３０ビットの二重押し検出ロジックはどう作ろ？ >３０ビットの二重押し検出
これってどういうものなんでしょうか。
俺が知ってる2重押し検出というと、
ボタンが1度押されて、それがきっかけで処理が始まったのに、
まだ処理が始まっていないと認識したユーザーの操作で(または別の理由で)
期待しない2度め押下が発生するようなものです。
チャタリング検出と似てはいるのですが、相対的にチャタリングより長めの間隔を扱うものです。
でもなんかちょっと違いますね。 30個並んでるボタンで2つ（のみ？以上？）が押されているか否かの検出ロジック
ということでとうぞ 相手が人間なら40ピンPICで1ビットずつ見て判断しても問題ない。 >>700
スピードとか、2重押し以外に別の用途があるか(例えば実際に押されているのが
どのスイッチかを判定する必要があるか)によって変わってくるよなあ。
設問が漠然としているわけだけど、そういう議論をしてもらうことも含めてのものなのかな？ 暇ですし前提を自由に設定してロジックについて語らいましょう
そのうち主が条件を示してくれるでしょう >>698
質問主です。
2ビット以上のオンを検出する回路です。
1ビットハーフアダーの縦続接続と全キャリービットORで
出来そうだけどどうかな？ >>704
ロジックとしてはそれで動くけど全部数珠繋ぎだと遅いよ
2個ずつ加えてうまくツリー構造にするとlog程度の段数になる。 バリエーションとして
フルアダー使って3入力いっぺんに処理する方法。
これとは別に
論理をケチる方法としてHAのS出力をOR回路で代用する方法が考えられる。
０.1,それ以上、
の三通りが見分けられれば良いんだから
FPGAで組むならこれ使うだろうな。 回答ありがとうございます。
次の質問です。
プライオリティエンコーダーは出力1ビットごとに分けて作ると本に書いてありましたがあほらしいですね。
メッシュ構造で出来ないですかね？
入力100ビット、出力７ビットぐらい。 アホらしいと思った人がより良い代替案を見つけられないなら
それが唯一無二の最良の方法なんではなかろうか >>707
概要を書くから、自分で考えその理解したところを述べよ。
n入力のプライオリティエンコーダを2つ並べ、
出力を2:1セレクタで選べば2n入力のプライオリティエンコーダを作れる。
これにより128入力を作成する。
応用問題。
ラウンドロビン可能なのも作れるんだがな。 「メッシュ構造」というのがどういうのを想定してるのか分からんけど
例えば、8入力の74HC148を(8+1)個と8to1Selector8個のような構成で
64入力のやつ作れるでしょ
HDL設計する場合でも、いきなり大きなビット数のをゼロから記述するよりは簡単かも >>706
入力と入力の２の補数をANDして結果が入力と等しくないと二重押しですね。（ゼロを除く）
>>709
強い規則性があるのに見つけられない合成ツール脳のロジックは検証で失敗しそう。 >>707
確定した出力のLSBビットを利用して不要な入力がLSB側に伝搬するのを止める感じ。 >>713
ケアレスミスしました。正しくは
確定した出力のMSBビットを利用して不要な入力がLSB側に伝搬するのを止める感じ。 今のトランジスタとか論理素子とかの面積ってどう調べればいいのでしょうか？
論文とかでも年代がバラバラだし、どれが今にあってるのかよくわからなくて 無安定発振回路てヒステリシスのないロジックICでも作れるんかな >>721
十分ゲインがあって、位相回転があれば発振するけど、CR一段だと難しいんじゃない。
発振周波数から定数を決めるのも困難。 反転2段またはバッファIC1段で、ヒスと遅れ要素でフィードバックすれば簡単にできる
教科書によくあるんちゃう？ 電気科入りたてだがここで言ってることの殆どが理解できん
みんなレベル高過ぎませんか？ 好きこそものの上手なれ習うより慣れろ経験に勝る知識なし
この道を行けばどうなるものか危ぶむなかれ危ぶめば道はなし
踏み出せばその一足が道となりその一足が道となる
迷わず行けよ行けば茨の道 ■ このスレッドは過去ログ倉庫に格納されています
