【電気】理論・回路の質問【電子】 Part16©2ch.net
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>>584
いや俺が質問した時は的外れ回答ばかりだったからまだマシ 教科書通り、という回答が不適切かどうかを>>584のような中身のない否定をしても意味がない。検証しようよ。
質問は、
>聞きたかったことは
>高電圧かつ高周波の交流電圧を入力した場合R-L直列回路でどのような電圧波形の乱れが生じるか
なんだけど、
これはつまり、
「高電圧かつ高周波の交流電圧で、そうでない場合とで違いがあるか」という質問だと思う。
純粋な理論の話なら、それが何万Vであっても何テラHzであっても、理想抵抗、理想インダクタで考えるなら「電気回路論の教科書通りにしかならない」で正しいと思う。
現実の回路なら、抵抗は直列インダクタンス、並列Cを複雑に持ったものだし、過大な電圧がかかれば焼けるし、インダクタも然り。
元の質問が後者のことを聞きたいのだとしたら、電圧、周波数、部品の選択で結果が変わりすぎるから、この質問だけだと「条件次第で何がおきるかわからない」が答えだと思う。 >>575
まず自分が思う過渡応答とは何かを説明してみ？
その認識が違ってる気がするよ。 >>575
自分の考える回路と入力信号を定義してシミュレータで計算してみたら？
QUCSとか日本語化されてるしネット上にフリー版もいろいろとあるから。 すごいなこれ
使用温度が５度から４０度もあるぞ
早朝なら夏のサハラ砂漠でも行けるんじゃないのか？ 大きなコンデンサが中に入っている構造なら、
下手したらUSBの電源回路壊したりしないかね。 >>595
大丈夫。
「ヒマラヤ山脈産の高品質なルビーマイカフィルムを特殊な構造で積層し一体化」したコンデンサだから。 >>593
公式によるスペックの詳細が、大きさ・重量・使用温度だけかよｗｗｗ
電気的特性も、改善効果も、なーんにもなしかｗ これが効果あるなら適当に自作すりゃいいじゃん
別に普通のコンデンサで充分だろ >>595
「非磁性炭素皮膜抵抗」ってのが直列に入ってるんだろう。
毒にも薬にもならない製品だな。 質問です。直交発信回路（クワドラチャ発振回路）の動作原理について調べています。
http://cc.cqpub.co.jp/system/contents/1566/
この図１の回路にて、
積分回路によって９０度遅れた波をもう一つの反転積分回路で２７０度回して再度入力することで
発振が継続することは理解できます。
物理的なおもりを付けたばねの単振動が、加速度→(積分)→速度→(積分)→位置→加速度(位置によって決まる)
っていうループなので、それに似たものだと考えれば理解はそう難しくありません。
疑問は、なぜ発振周波数Fo=1/(2πRC)で発振するか、です。
「全体のループゲインが１で発振が継続する」との旨が書かれています、
しかしその理由がわかりません。 >>604続き
図３(a)の積分回路にもしFoを与えればゲイン１倍、
図３(b)のローパス＆積分回路にもしFoを与えれば、R2・R3で作るローパスはゲイン1/2倍、
R2・R3以外は非反転増幅器型の積分回路のようなものと考えて、ゲイン２倍になることは理解できます。
全部つなげて、たしかにゲイン１になります。
でもそれは、Foで発信している状態のことを言っているわけで、
その周波数に成長するまでの過程が知りたいのです。
電源を入れた瞬間は直流です。もし図１の回路がFoより小さな周波数で動作していれば
各回路部分ゲインはかなり大きいが、何らかの力が働いてFoに近づけるのでしょう。
仮に、もし図１の回路に外部から力を加えてFoより大きな周波数を与えたとしたら、
ゲインはかなり小さいが、力をなくせば何らかの力がやがてFoに近づけるのでしょう。
その何らかの力が知りたいのです。
ゲインが大きいと周波数が上がるのですか？ゲインが小さいと周波数が下がるのですか？ >>605 一般論だけど、位相が360°でゲインが１で発信するのは定常状態だが、
結局、そのために種となる信号がなくてはならないことは知られていて、電源投入時の電圧変動などが
それを提供していると言われている。（あるいはノイズ等）
なので、現実の回路では発振が成長する過程がある。
種信号は正弦波ではないので、さまざまな周波数を含んだノイズみたいなもんだけど、
ゲインが十分にあれば、位相が360°回る周波数で振動が成長していき、結局は正弦波になる。
実際のところ、ゲインが１だとあんまり発振しないはずで、トータルでみたら１以上になってる回路がほとんどだと思う。
でも、発振回路自体が非線形なので、信号振幅がある程度成長すると飽和とかでゲインが低下して、
発振が継続しているときは、なんだかんだでゲインが１に落ち着いている。（じゃないと、発振停止か無限に振幅が増加するので。） クランプ電圧の概念がよくわからない
MOSFETの特性？ mosなりバイポーラTなり、半導体でも通電してない場合、ただのキャパシタとしての特性を持ちますか？ >>608
通電してなければ電気的に意味の有る量は得られない。
よって答えは「いいえ」。 >>608
通電しない回路でも図のようなキャパシタンスは動作に影響を与えます。
>>610
電荷が半導体に溜まっても電気的に意味を持つぐらいには小さすぎるということ？ >>607
上のレスで出てきた言葉の話かと思ったけど、そうでもなくて、>>607からスタートする話題？
clamp は位置を固定する、というニュアンスがあります。
電圧に関して clamp を使う場合は、電圧を固定するのではなくて、一定以上(または以下)に
ならないような仕組みを指して言うことが多いと思います。 地球と月との間に０ではないコンダクタンス分あるとして、何か意味があるとでも？ >>615
簡単にぶったぎってるけど
ちゃんと大きさ測ったことある？
無視できないよ >>611
それを｢通電していない｣と呼ぶならな。 主語の省略と話題のごっちゃは電々板のたしなみ
MOSやBJTの各端子間に
キャパシタンスがある／ない → ある
影響がある／ない → ケースバイケース
良い／悪い → たいていの場合悪い。稀に良くても不幸中の幸い的な で、まあなんというか
>キャパシタンスがある／ない → ある
は、無い事はありえないというレベルだったり
ダイオードの一種でMOSでもBJTでもないけど
バリキャップのような狙って作るものもあったりする LSI内のオンチップ容量はそこで言う通電してないMOS使ってたりするよな 質問です、コッククロフト回路で検索すると検索上位に出てくる回路図なんですが、
ダイオードが逆を向いた回路図が多いのですがこれは何故なのでしょうか？ 同じ定格のツェナーダイオードを二個並列接続すると二倍の許容電力が得られる >>626
それはだめです。
同じ定格を標榜しているものでも、ツェナー電圧にはばらつきがあります。
ツェナー電圧が低い方に電流が集中します。
特に5Vあたり以下のものだと、温度上昇にともなってツェナー電圧が下がりますので、
ツェナー電圧が低い方に電流が集中する→温度が上昇する→ツェナー電圧が下がる
の悪循環になります。 熱雑音「レベル」のエネルギーで一方向に回転する生体分子モーターは知られているから
それで交流発電機を回せれば整流することもできるかも
この方法ではないだろうけど
東京大学先端科学技術研究センターの人も
「身の回り至るところにある熱雑音からうまくエネルギーを整流化できれば」
と言っているからそのうち実現されそうな気配 >>627
24V電源から5V作るとすると
一段目12V
二段目5V
と分けた方が電力分散明確にできるかな >>630
ツェナーでないとダメなんでしょうか。
発熱が気になるなら、他の方法の方が良いような気がします。 >>632
1ビットの情報を消去するときにエネルギーが必要なため、
環境からエネルギーを取り出し続けることはできないんじゃなかったっけ？ 教えてください。
絶縁手袋があります。7000VがOKのものです。
http://www.yotsugi.co.jp/products/detail/44
この7000Vの意味は何なのかがわかりません。
この手袋を付けていれば、例えば、
地面---裸足----絶縁手袋----7000V電線---地面(接地) というようにしても、
人体に感電は起きないと考えればよいのでしょうか?
あるいは、放電はしないけど、mAオーダーの電流は流れるから、感電するよ
ということなのでしょうか? その7000ってのは状態の良い手袋を正しく使用した時に内側と外側の絶縁を保証出来る電圧という意味
製品としてはさらに高い耐電圧試験に合格してるはず
でもゴムがひび割れていたり内外面が濡れていたりしたら7000V以下でも絶縁破壊する
裸足でどうのこうのとかは使用者の自己責任で自由に試してもらえばいいとして
メーカーとしてはそういう変な使い方を想定や前提に製造はしていない >>635
>7000V以下でも絶縁破壊する
絶縁「破壊」はして無いでしょ。
現象としては絶縁「低下」。 7000V以下では絶縁破壊しないという見解なんですね
私は条件さえ揃えば7000V以下で絶縁破壊するという認識です >>637
>>635
>ゴムがひび割れていたり内外面が濡れていたりしたら
これは物理的に破損しているのであって絶縁「破壊」とは別の現象ですよ。 >>634
リンク先の製品情報に
使用に際しては、保護革手袋の併用が必要です。
って書いてあるぞ。 活線で柱上変圧器の交換してるの見たことある。
け今は工事のために停電させるのは理解が得られにくいんだろうけど
人権的に問題にならないのかね。 >>638
絶縁破壊の定義をちゃんと調べたほうがいいよ 質問なのですがMOSFETのオーバーラップ容量は酸化膜と半導体の重なっている部分の容量値という認識で合っていますか？ >>642
何も提供できずにチャチャ入れしか出来ないなら黙ってればいいのに。 >>644
「俺は知ってる、俺はスゴイぞ」 って言いたいんじゃないかな。 言葉遊びはいいから
単にゴム材料における絶縁耐圧の話だろうて
劣化したりってのは別の話
現場的実用には気を付けましょう 結局、7000Vの絶縁ができる手袋をしていれば、
電源(+)-----手袋(7kV)-----俺----裸足----電源(-) でも、
感電しないという理解で良いのでしょうか? 家で不労所得的に稼げる方法など
参考までに、
⇒ 『武藤のムロイエウレ』 というHPで見ることができるらしいです。
グーグル検索⇒『武藤のムロイエウレ』"
95548VQWE0 トランジスタ回路に関する質問です。
エミッタ接地回路（エミッタのバイパスコンデンサあり）の電圧増幅率 Av の式として
Av = - (hfe / hie) * Rc
hfe, hie: トランジスタのhパラメータ、
Rc: コレクタ抵抗
という式がいろんな教科書に出てきますが、トランジスタのデータシートには
hie が載っていないことが多く、hfe はバラツキが大きすぎます。
（例題ではどちらも与えられてたりしますが…）
結局のところ、エミッタ接地回路はトランジスタのhパラメータをいちいち計測しないと
増幅率さえわからない、ということでいいのでしょうか。 Gain = Rc/Reではないの? (hFE以下で)
エミッター抵抗がない回路では、hFE依存だから、あなたの言う通り。 >>650
せめてさぁ、wikipediaぐらいは読んでから分からないところを質問してよ。
https://ja.m.wikipedia.org/wiki/エミッタ接地回路 >>650
hパラメータを計測しなくても増幅率を測定すれば増幅率がわかります >>650
大雑把な話ですけど、図のようになります。
トランジスタの中のreがあって、外付けのRE(とそのバイパスコンデンサ)が0Ωなら、reが支配的になります。
バイパスコンデンサがないなら、ゲインの計算はRC/(RE+re)。
ついでに。
振幅が大きくて Ic の変化も大きいのなら、reも動的に変わります。なので、歪も発生します。
>>650
そのとおりで、測定しないと分からないし、温度などでも刻々変わる
このばらつきや変化を押さえ込む、気にしない、概算できるのが設計にとって大切なこと
ちょっと慣れれば、hfe/hieを一回も計算せずに実用品が作れるのがトランジスタの良いところ 測ってもｈFE程度。hfeは測りもしない。ある程度の範囲内なら問題ない用途にしかバラのトランジスタは使わなくなってしまった。 すみません、以前もお聞きしたのですが、再度質問させてください。
クアドラチャ発振回路の発振周波数が、なぜゲイン１の時（Fo=1/2πRC)に定まるのか、
なぜ周波数がFo以下のとき（ゲインが１以上の時）の周波数にならないのか
理論的に説明できる方はいますでしょうか。
http://toukatugiken.dip.jp/quadrature/
詳細はこちらに書きました。だれか教えてください。 >>657
「説明できる方」は沢山いるよ。
「教えてくださる方」がいるかどうか。
君は人に何かを教えて貰おうとするときに「説明できますか」と聞くのかい？ >>658
あざっす
返信くれただけで感激です。よろしくお願いします！^^ 説明できますかっていういい方は、挑戦的でぶしつけなんだよ。 腕白でもいい。逞しく育ってほしい
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勝手に 積分回路と一次遅れ回路のループでトータルの符号は−１だから
1+s^2+ tau s^3==0 から自然周波数が求まる。
tau=1
としてs=0.233-0.8i,-1,47+3.4x10-16i,0.233+0.8i
このうち 0.233+/- 0.8 i が生き残り発散するがリミッタ回路で制限され
発振する。
積分回路があるからSIN,COS生えられる。
昔からみんな使っている回路であり、名前があると走らなかった。 >>647
それは直流の場合のみ？
交流だとダメ？ >>664
元レスを辿れば交流7000VでOKとされている製品ですよ。 汗が流れてた。 他にショートした
まあ 勇気があればやってご覧
さきにスイッチを切ったほうがいいと思うけど まぁ、それが自らの命をかけるに値する場合はやるが、まず無いだろうな。 手袋がそれを満たしている、ということと、非熟練作業者でも安全、ということは別ですしね。 返信遅れてすみません。みなさんありがとうございます。
追加、というか補足の質問なのですが、hieはどのようにして測定するのが良いのでしょうか。
hfeは hfe≒hFE とすれば、簡単にデジタルテスターで測ることが出来るのですが、hieの測定方法に困っています。
>>651
エミッタ抵抗なしを想定してます。
そうするとやはり増幅率はhFE依存なんですね。
>>652
Wikipediaはチラッとは見たのですが、「バイポーラトランジスタでgm？FETの話かこれ？」と思って読むのをやめてました。
検索してみると、普通のトランジスタでもgmって考え方があるんですね。
「バイポーラ：電流制御型、FET：電圧制御型」が頭にあったのでスルーしてました。
>>653
なるほど…。これは一本取られました。
完成した回路が既にあればその方法もアリですよね。
>>654
reってのは初耳でした。26mVは何かと検索したら熱電圧VTってやつですか？
そうすると回路の増幅率はトランジスタのhfeとは関係ないということになりそうですが…。
Wikipediaの記事と合わせて考えるとre=1/gmということでしょうか？ますます混乱してます。
>>655
自分はまだ全然慣れないです。
やはり実測しないとわからないんですね。
>>656
とりあえずhFE≒hfeとして考えてます。
前提が抜けててすみません。 >>657
まず>>605の話で、線形回路ではexp(αt)*sin(ωt)の形の解になり、
周波数が変わっていくような解はないと思う。
http://cc.cqpub.co.jp/system/contents/1566/
の記事で、理想オペアンプとしたときの伝達関数はG=1/(ω^2*C^2*R^2)。
これをループにつないで発振の種として単位インパルスδ(t)を
加えると、δ(t)のラプラス変換は1だから
V(s)=1/(1/G-1)
代入して整理すると
V(s)=-1/(C^2*R^2) / (s^2+1/(C^2*R^2))
逆ラプラス変換すると
V(t)=-1/(C*R) * sin(t/(C*R))
となりf=1/(2πCR)で発振することは分かる。
ゲインが1だから発振は当然成長しない。
しかし、R2=10kΩのままでシミュレータにかけても
発振が成長するようなので理想オペアンプでないのが
有利に働いてるのかとも思ってる。
1.59kHzではオペアンプのゲインは50dB程度しかないから。 >>670 hieを簡単に測定する方法はないけど、
hie≒hfe*hibとして、hib≒VT/IEで代用する手を使った記憶がある。
hibはバイアスをかけたダイオードの等価交流抵抗で、
トランジスタ種別にあまり影響されず、26mV/エミッタ電流(mA) Ωになる。
26mVはVT(熱電圧)で、詳しくは半導体物理でも検索してくれ。
で、hibにhfeを掛ければ、だいたいの hie が出る。
エミッタ内部のオーム性抵抗があるからその分の誤差は出るが、
教科書にも載ってる由緒正しい簡略法。
hieに大きく影響を受ける回路はあまり精度を気にしてもしょうがないので、
実質的にはこれでも十分だった。
実際にhib測ったのは、2SC1815 3石でつくってみた差動増幅回路だけだったな。
hibがモロに効く回路だったんで。ゲインを測ると等価的なhibが分かる。 >>604
ゲインが1以上の周波数だと増幅して言って定常波＝一定周波数じゃなくなるから
結局ゲイン>1の間は周波数が上がり続けてゲイン1に落ち着く ここで質問して良い内容なのかわかりませんが、質問します。
半導体は、ある電圧をさかいに電気が流れるものと理解しているのですが、合っていますか？ >>677
「半導体」ってーのもジャンキーなワードなんで、簡単には答えられない
最近では「nVidiaの半導体」というソフトウェアがDCで使用禁止になって話題
具体的な「半導体」の例をあげてくれたまえ >>679
半導体の例とは種類等でしょうか？
知識がないので、ちょっと返答が難しいです。
電流On/Offの境界が電圧によるものなのか、上に書かれていた温度なのか、それ以外の何かなのかを知りたかったのですが・・・ >>680
ダイオードかトランジスタのこと？
それらは半導体を使って作る素子なんだけど >>680
半導体でも接合の無い一様な物質であれば特定の比抵抗値を持ちますよ。
絶縁体 ＞ 半導体 ＞ 導体
電圧による電流が非線形になるのは接合があるからです。 半導体がオンオフする要素は電圧、電流、温度、圧力、光、その他になんかあるかな？ ■ このスレッドは過去ログ倉庫に格納されています
