MOSFETの記号を見るとわかるんだが、
MOSFETのGS間はコンデンサなんだよね
GS間コンデンサを充電するとDSがONになり、
GS間コンデンサを放電するとDSがOFFになる
ゆっくり充電するとそれだけDSがONになる時間が掛かる
だから、高速スイッチングをしたい場合にはGS間コンデンサを急速に充電する為の回路的工夫が必要になる
但し、GS間コンデンサにあまり瞬間的に大電流を流してしまうと、今度は>>222 のリンク先にあるように、チャタリングを引き起こしてしまう
だからこそ、RGにはチャタリングを起こさない範囲でできるだけ低抵抗をかます

こんな説明でどうだ?