開発が本格化する次世代EUV露光技術、3nm以降の微細化を主導
https://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/1165543.html

次世代EUV露光装置の試作機は2021年末までに出荷へ

　次世代の「高NA」EUV露光を実現する露光装置(スキャナ)の開発を主導しているのは、唯一のEUV露光装置メーカーでもある、ASMLである。そのASMLによると、NAが0.55のEUV露光装置の最初の試作システムは、2021年末までに出荷を予定する。

　この研究開発用試作システムは、昨年(2018年)第1四半期の段階で3者の顧客から、4台の受注を得ている。顧客の3者には研究開発機関のimecと、最大手シリコンファウンダリのTSMCが含まれると見られる。なおimecはASMLとは次世代EUV露光技術の開発でパートナーの関係にある。imecが、実際のパターニングにおける評価を担う。

　また量産用システムの出荷は、2024年にはじめる計画である。この量産用システムについても、昨年(2018年)第1四半期の段階で8台分の予約が入っている。量産初期の技術ノードは、3nm世代となる見込みだ。