半導体技術はどんどん進展して１ｎｍももうすぐですが
微細プロセスが１ｎｍになっても
ＭＯＳのゲート幅の限界とかリーク電流とか
電気的な問題があるそうです

微細化が必要な理由は
・メモリ数、コア数、NANDフラッシュの容量数増加という量的なもの
・クロック周波数増加や、発熱量低下などの速度的なもの
の２つがありますが、
Siぐらいの使いやすさで、1000GHzぐらいまでクロックを上げられるものはないでしょうか？