>>654
その電圧ならMOS-FETの方が高効率になる領域
200V超えた付近で逆転してくるよ。
扱える電流よりも電圧で使い分け
もし出力側を短絡させたり
欠相させるとIGBTな即死するけどMOS-FETなら
本体のオン抵抗分で死ぬまで少し余裕があって救えるチャンスが残される