>>650
大雑把な話ですけど、図のようになります。

トランジスタの中のreがあって、外付けのRE(とそのバイパスコンデンサ)が0Ωなら、reが支配的になります。
バイパスコンデンサがないなら、ゲインの計算はRC/(RE+re)。

ついでに。
振幅が大きくて Ic の変化も大きいのなら、reも動的に変わります。なので、歪も発生します。