>>634
ていねいに説明すると極めて長くなっちゃうので 「 適当に 」 言いますね ﾐ　'　ω`ﾐ

1. FET （ JFET， MOSFET ） で低周波電圧増幅回路を組むと、等しい電圧増幅度を得るために、
　　BJT の回路より大きい電力を消費する。しばしば増幅段数も増やさなければならない。

2. FET は電極間容量が大きい （ 高 gm 品種のは特に ） ので高域特性が惡化しやすい。うかつ
　　に FET の低周波電圧増幅回路を組むと、カットオフ周波数が 3kHz なんてことになる。
　　それを避けるためには各部のインピーダンスを下げざるを得ず、また消費電力が増える。

3. FET のばらつきは BJT より大きいので、それを十分緩和できない簡単な回路を組む際は、
　　組立前の選別または組立後の調節が必要で煩わしい。

4. MOSFET は低周波域でのノイズがひどく大きい。そのため初期にはロジック回路と高周波回路
　　にしか用いられなかった。いまは CMOS プロセスのオペアンプ等があるのだから、だいぶ改善
　　されているのだろうが、MOSFET の低周波電圧増幅用 （ 汎用小信号 ） 品種は開発されぬまゝ
　　現在に到る。

スウィチング用の MOSFET はリニア増幅につかいづらい特性 （ VGS - ID 特性のリニアリティが
よい領域に動作点を置くと発熱がひどい／電流が大き過ぎて用が無い ） をもっているので、
もし実験するのであれば心してかゝらねばならぬかなとかと、おもいます ﾐ'ω　`　ﾐ